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ASML CEO:中国不可能造出7nm及以下先进光刻机!

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近日,ASML(阿斯麦)公司的首席执行官克里斯托夫-福凯在接受媒体采访时表示,尽管中国芯片制造业在产能上持续增长,但在高端半导体技术方面,尤其是7纳米及以下级别的先进光刻机,中国厂商仍面临巨大挑战,目前看来几乎不可能实现自主生产。

ASML CEO:中国不可能造出7nm及以下先进光刻机!

福凯首先强调了全球对中国制造传统芯片的需求,并指出这些芯片对于填补全球尤其是欧洲的供需缺口至关重要。阻止别人生产自己需要的东西毫无意义。他提到,与能源领域对俄罗斯天然气的替代寻找类似,全球在芯片领域也需要逐步减少对单一来源的依赖,但这一过程远比想象中复杂。

在谈到中国半导体技术的现状时,福凯表示,尽管中国在这一领域已经取得了显著进步,但与美国等领先国家相比,仍落后大约十年。他同时承认,中国在传统芯片制造工艺上的熟练程度为其在这一领域奠定了一定基础,但这并不足以支撑其在先进光刻技术上的突破。

据国际半导体产业协会(SEMI)的预测,中国芯片制造商的产能将在未来几年内快速增长,预计到2025年,其产能将提升14%,超过全球其他国家两倍以上,达到每月1010万片,约占全球总产量的三分之一。这一数据无疑展示了中国芯片制造业的蓬勃发展态势。

然而,当被问及中国是否能自主开发出极紫外(EUV)光刻设备这一制造7纳米及以下级别芯片的关键技术时,福凯的回答显得相当谨慎。鉴于开发过程的复杂性,现在中国还远远不可能实现这一目标。他坦言,EUV光刻设备的研发不仅涉及高度精密的制造技术,还需要长期的技术积累和大量的资金投入,这些都是目前中国芯片制造业所面临的难题。

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